东微半导(688261)：功率技术持续创新 打开中高压蓝海市场

　　募资提升企业竞争力，加码进军IGBT、超级硅蓝海市场。

   　　2021 年2 月9 日公司发布发行结果公告，本次发行募集资金总额218,973.20 万元，扣除发行费用后募集资金净额200,655.66 万元，发行股票数量1684.4092 万股。募投项目产品技术组件依托于公司现有核心技术，是当前技术于前沿技术领域的进一步拓展及延伸，助力公司纵向深耕超级结功率器件领域、横向拓展丰富产品线，总建设周期为3 年。项目建成之后预计进一步深化巩固公司超级结领域地位；有望实现车规级IGBT 及12 英寸先进制程IGBT 产品系列的研发和产业化，新一代超级硅产品的迭代及产业化。

   　　功率半导体下游应用广泛，国产替代空间大。

   　　随着国民经济的持续发展，功率半导体的应用领域已从工业控制和消费电子拓展至新能源、轨道交通、智能电网、变频家电等诸多市场，国内市场规模呈现稳健增长态势。其中MOSFET 器件在下游的消费电子、通信、工业控制、汽车电子等领域占据了主要的市场份额，下游应用不断拓宽。与此同时，全球MOSFET 器件市场基本被海外厂商占据，2019 年前十大公司市场占有率达到74.42%，国产替代具有广阔的发展空间。

   　　东微半导体突破海外垄断，细分市场处国内领先地位。

   　　公司在全球MOSFET 功率器件市场份额中位列中国本土企业前十。公司为国内领先的高性能功率器件厂商之一，是国内最早能在超级结MOSFET 领域突破海外技术垄断的本土公司之一，东微半导体2020 年实现的高压超级结与超级硅产品合计的销售收入约为2.5 亿元，占全球高压超级结市场的份额为3.8%，占中国高压超级结市场的份额经估算约为8.6%。在国内同样实现高压超级结产品销售并披露销售数据的公司中居首位，与可比公司已有明显身位优势，在此细分市场占有率方面具有一定的优势。

   　　创新产品超级硅性能对标氮化镓，有望成为第二成长曲线。

   　　公司的超级硅MOSFET 拥有高速开关以及低动态损耗的特性，在硅基制造工艺上进一步提升了器件的开关速度，在主流快速充电器应用中能获得接近氮化镓（GaN）功率模块的效率和功率密度，但生产成本更低仅为同效率氮化镓器件的20%，公司产品经过市场验证后预计会逐渐放量成为公司在消费领域的第二增长曲线。

   　　投资建议：我们预计公司2021~2023 年归母净利润分别为1.43、2.02、3.01 亿元。

   　　根据wind 一致性预测，参考可比公司22 年平均PE 为76.7 倍，给予公司75 倍PE对应公司22 年净利，市值为151.2 亿元，对应目标价格224.4 元/股，首次覆盖给予买入评级。

   　　风险提示：下游需求波动风险、产品结构单一的风险、新产品研发不及预期的风险、短期内股价波动风险、市场竞争风险、供应商集中度较高的风险