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事件描述
2026 年8 月19 日,兆易创新公告《2026 年半年度报告》。2026H1,公司实现营收115.66 亿元、同比+178.67%,归母净利润68.85 亿元、同比+1091.50%,扣非归母净利润48.83 亿元、同比+796.90%。2026Q2 实现营收73.78 亿元,同比增长229.18%、环比+76.16%,归母净利润53.96 亿元、同比+1482.99%、环比+269.24%,扣非归母净利润34.73 亿元、同比+983.35%、环比+146.30%。
事件评论
存储量价齐升,业绩持续高增。2026H1,公司实现营收115.66 亿元、同比+178.67%,其中存储芯片、微控制器、传感器、模拟芯片分别实现营收98.27、14.30、1.00、1.91 亿元,实现归母净利润68.85 亿元、同比+1091.50%,扣非归母净利润48.83 亿元、同比+796.90%。2026Q2 实现营收73.78 亿元,同比增长229.18%、环比+76.16%,归母净利润53.96 亿元、同比+1482.99%、环比+269.24%,扣非归母净利润34.73 亿元、同比+983.35%、环比+146.30%。存储芯片行业供给持续紧张,公司存储芯片产品量价齐升,存储业务盈利水平提升显著;微控制器产品受益于工业、消费及汽车等领域的需求拉动,出货规模亦实现较好增长;助力公司二季度经营业绩大幅增长。
产品力助力公司龙头地位持续巩固。存储线:量价齐升逻辑突出。NOR Flash 全球第二,公司保持在高端消费电子市场竞争优势的同时,持续发力工业、通信、汽车等应用领域,实现多应用领域全品类覆盖;并于2025 年实现45nm 的NOR Flash 的规模化量产。SLCNAND Flash 以24nm 为主要工艺节点,产品容量覆盖1Gb-8Gb,实现消费、工业、汽车等全品类产品覆盖。自研DRAM:公司拥有DDR3L、DDR4、LPDDR4 多个产品型号;DDR4 8Gb 产品市场推广顺利,并规划LPDDR5 小容量产品研发,公司DRAM 实现在网通、电视、机顶盒、工业、智慧家庭、AI 相关等领域的广泛应用,依托于供应链优势,公司利基DRAM 在全球市占率持续提升;定制化存储方案公司产品具备先发优势的同时,在云侧、端侧客户项目进展呈现顺利推动之势,公司部分项目处于客户送样、小批量试产阶段,2026 年将在部分客户端实现量产。MCU 国内第一,公司已成功量产69 个系列、超700 款MCU,覆盖M3、M4、M23、M33、M7 内核,工艺制程覆盖110、55、40、22nm,实现对高性能、主流性、入门级、低功耗、无线、车规、专用产品的全面覆盖。
龙头彰显,业绩持续释放。公司NOR Flash 持续扩大经营规模和市场占有率,受益于海外原厂退出、利基DRAM、2D NAND 供给端竞争格局显著改善,产品处于持续供不应求周期;公司在SLC NAND Flash 进一步提升24nm 工艺制程节点占比、DRAM 不断补充产品矩阵的同时,迎来量价齐升周期、市占率持续提升,定制化DRAM 持续发力,MCU多下游领域发力。我们看好多产品持续放量下,公司的确定性成长,预计2026-2028 年公司归母净利润分别为149.64、234.09、261.71 亿元,维持“买入”评级。
风险提示
1、下游需求复苏不及预期风险;
2、人才流失致新品研发拓展不及预期风险。

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